-
永磁材料添加剂用纳米氧化钇
技术指标:项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
-
优锆UG-Y01D纳米氧化钇锂电材料用
技术指标:项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
-
99.999%纳米氧化钇锂电材料用
技术指标:项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
-
锂电材料用纳米氧化钇
技术指标:项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
-
优锆UG-S20纳米二氧化锡透明导电材料用
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
-
低辐射玻璃用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
-
光催化抗菌材料用纳米二氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
-
气敏元件材料用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
-
陶瓷釉料遮光剂用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
-
半导体电子工业材料用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分